這種功率半導體器件具有良好的高溫特性及溝槽填充能力，
可以承受更高的擊穿電壓，使器件具有更優異的性能和更强的可靠性。
特性：
(1) 提升系統的效能和功率密度
SGT結構相對傳統的Trench結構，溝槽挖掘深度深3-5倍，可以橫向使用更多的晶矽外延體積來阻止電壓，
採用此芯片技術，可以得到更低的導通電阻。
(2) 極低的開關損耗
米勒電容SGT 工藝明顯比溝槽工藝低很多，有助於降低器件在開關電源應用中的損耗。
(3) 更好的EMI優勢
SGT MOS結構中的內置電阻電容緩衝結構，可以抑制DS電壓關斷時的瞬態振盪，進一步降低應用風險。
