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中低壓SGT MOSFET系列產品

中低壓SGT MOSFET系列產品

中低壓SGT MOSFET系列產品
詳細介紹
霈峯採用SGT最新一代工藝技術,推出中低壓SGT MOSFET系列產品,
這種功率半導體器件具有良好的高溫特性及溝槽填充能力,

可以承受更高的擊穿電壓,使器件具有更優異的性能和更强的可靠性。

特性:
(1)   提升系統的效能和功率密度
SGT結構相對傳統的Trench結構,溝槽挖掘深度深3-5倍,可以橫向使用更多的晶矽外延體積來阻止電壓,
採用此芯片技術,可以得到更低的導通電阻。
(2)   極低的開關損耗
米勒電容SGT 工藝明顯比溝槽工藝低很多,有助於降低器件在開關電源應用中的損耗。
(3)   更好的EMI優勢
SGT MOS結構中的內置電阻電容緩衝結構,可以抑制DS電壓關斷時的瞬態振盪,進一步降低應用風險。